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碳化硅的理化指标

作者:15161681264  时间:2019-08-26 14:19  人气: ℃

碳化硅的理化指标
  
  一、密度
  
  各样碳化硅晶形的颗粒密度十分近乎,普通觉得是3.20克/毫米3,其碳化硅磨料的当然堆砌密度在1.2--1.6克/毫米3其间,其高矮在于于粒度号、粒度合成和颗粒形状。
  
  二、硬度
  
  碳化硅的莫氏硬度为9.2,威氏显微密硬度为3000--3300公公斤/毫米2,努普硬度为2670—2815公公斤/毫米,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。导热率。碳化硅制品的导热率非常非常高,热膨胀参数小巧,抗热震性非常高,是优质的耐火材料。
  
  三、电学属性
  
恒温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅跟着气温的升高内阻率降低,含杂质碳化硅按照其含杂质不一样,导电机能也不一样。

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